Page 258 - Неоднородная Вселенная
P. 258

Николай Левашов «Неоднородная Вселенная»
       воздействием этого перепада начнут скапливаться на поверхности кристаллической струк-
       туры с большим уровнем собственной мерности, в то время, как отрицательные ионы с
       меньшим уровнем собственной мерности — на поверхности с меньшим уровнем собствен-
       ной мерности. Избыток положительных ионов на одной поверхности позволяет говорить
       о положительном заряде, в то время, как избыток отрицательных ионов — об отрицатель-
       ном заряде поверхностей. Наличие перепада уровней собственной мерности между раз-
       ными кристаллическими поверхностями вызывает перераспределение ионов, насыщаю-
       щих промежуточную среду и приводит к появлению, так называемого, постоянного элек-
       трического тока между этими поверхностями, если соединить их между собой посред-
       ством проводника.

            1. Кристаллическая поверхность с меньшим уровнем собственной мерности.

            2. Кристаллическая поверхность с большим уровнем собственной мерности.

            3. Промежуточная жидкая среда насыщенная ионами.

            4. Положительные ионы.
            5. Отрицательные ионы.

            L 1 — уровень мерности кристалла первого элемента.

            L 2 — уровень мерности кристалла второго элемента.

            ΔL — перепад между уровнями собственной мерности двух разных элементов.
                                                              Рис.3.3.14.  Кристаллическая  решётка  лю-
                                                         бого твердого вещества неоднородна в разных
                                                         пространственных направлениях. Это является
                                                         результатом того, что синтез атомов происходит
                                                         в  неоднородном  пространстве.  Неоднородное
                                                         пространство,  взаимодействуя  с  неоднородной
                                                         структурой  атомов,  вынуждает  их  ориентиро-
                                                         ваться  и  располагаться  по  отношению  друг  к
                                                         другу в определённом порядке. Поэтому, прак-

                                                         тически,  все  кристаллы  анизотропны,  т.е.,  их
                                                         свойства  и  качества  различны  в  разных  про-
                                                         странственных  направлениях.  В  силу  тех  же
                                                         причин их реакция на одно и тоже внешнее воз-
                                                         действие будет зависеть от того, в каком про-
                                                         странственном  направлении  это  воздействие
                                                         происходит. Поэтому, перепад мерности вдоль
                                                         оптической  оси  кристалла  получил  название
                                                         электрического поля Е, так как заставляет элек-
                                                         троны перепрыгивать с орбиты одного атома на
                                                         орбиту другого. В то время, как перепад мерно-
       сти перпендикулярный оптической оси кристалла получил название магнитного поля В,
       так как, заставляет атомы или группы атомов переориентироваться в пространстве. Хотя,
       в обоих случаях присутствует перепад мерности пространства ΔL.

            К оглавлению                                   258
   253   254   255   256   257   258   259   260   261   262   263